SiC・Siウェーハ向け光変調反射率式、イオン注入モニタリングシステム PMR-2200C

製品概要

自動車の電動化（EV）やエネルギー効率の極限追求に伴い、次世代パワーデバイスの基盤材料である炭化ケイ素（SiC）の需要が世界規模で急増しています。SiCデバイス製造において、デバイスの性能と均一性を決定づける最も重要な工程の一つが「イオン注入」です。
セミラボの「PMR-2200C」は、独自の光変調反射率技術を採用した、アズインプラの非破壊イオン注入モニタリングシステムです。
SiCウェーハのイオン注入量（ドーズ量）、傾斜角度等を1台で精密に監視し、パワーデバイス製造の歩留まり向上に貢献します。
次世代パワー半導体（SiC）プロセスの品質革新に向けて セミラボのPMR-2200C（PMR-Cシリーズ）は、学術発表（IIT、ICSCRM、MRS Advancesなど）でも実証された確かな科学的原理に基づき、世界の主要パワーデバイス・車載デバイスメーカーの製造ラインを支えています。

アプリケーション

パワーデバイス・車載デバイス製造における「イオン注入プロセス」の最適化

SiCウェーハへのイオン注入は、材料の硬度や高温注入の必要性から、従来のシリコン以上に厳格なプロセス制御が求められます。PMR-2200Cは、イオン注入プロセスの最適条件(パラメータ)の構築の指針となり、現場の様々な課題解決に役立ちます。

• アズインプラで不良を検知したい：アズインプラ（インプラ直後）の段階で、注入量等の異常を非接触・非破壊で早期発見。
• 高温注入時のウェーハ状態を把握したい：注入温度の違いに伴う「結晶の自己修復プロセス」のモニタリング。
• SiCとSiの両方を1台のシステムで効率よく評価したい：リソースとクリーンルーム面積を最適化し、投資対効果を最大化。
• パターン付きの製品ウェーハを測定したい：微小スポットとパターン認識により、モニターウェーハだけでなく実際の製品での測定に対応。

製品の特長

セミラボ PMR-2200C によるSiCインプラ制御

• SiC向けインプラモニターだが、Siにも適応可能
  1台で、SiCおよびSiモニターウェーハの双方におけるイオン注入パラメータを監視できます。
  ブランケットからパターン付きウェーハまで幅広く対応し、工場の設備投資コスト（CoO）を劇的に引き下げます。
• 超低線量から高線量までをカバーする広範囲な測定能力で、その全域で極めて高い感度を持ちます。アルミニウム（Al）、窒素（N）、リン（P）、ヒ素（As）など、すべての主要なドーパントイオン種においてSiCで直接、優れた感度を示します。
• 注入温度への高い感度と「結晶自己修復」の正確なフィードバック
  高温でのイオン注入プロセスにおいて、熱エネルギーによるSiC結晶の自己修復挙動（結晶格子誤差の総量変化）を正確にキャッチします。
  温度差に伴うPMR信号の単調な変化（欠陥量に比例）を捉えることで、インプラント時の温度変動を精密にモニタリングできます。
• 圧倒的な信号再現性と安定性、そしてパターン認識
  微小レーザースポットサイズと高度なパターン認識機能を搭載。

技術仕様概要

セミラボ PMR-2200C 主な計測仕様