製品情報
CV・抵抗測定 ソリューション
水銀CV測定装置
MCVシリーズ
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MCV-2200/2500は、全自動の水銀CV測定装置です。3～12インチのウェハーの測定が可能です。
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MCV-530は、マニュアルタイプの水銀CV測定装置です。50mm～300mmのウェハーサイズに対応しています。
非接触・非破壊 エピ層抵抗測定装置
QCシリーズ
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QCシリーズは、非接触でエピタキシャルウェハーの抵抗率を測定します。ＳＰＶ法によりウェハー上にパルス光を照射してウェハー表面電位変化を検出し、空乏層幅を測定します。強反転状態の空乏層幅が不純物濃度に比例することにより、不純物濃度測定を行い、抵抗率に換算（ASTM)します。
エアギャップ非接触CV測定装置
ACVシリーズ
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ACVシリーズは、非接触CV測定装置です。エピタキシャルの抵抗率、 ドーピング濃度、 表面電位変化、空乏層厚、プロファイル等の測定が可能です。
4探針シート抵抗測定装置
RTシリーズ
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渦電流法に基づくRT-1000比抵抗測定器では、インゴットとブロックのバルク抵抗率の非接触・非破壊測定、単結晶/多結晶シリコンやポットスクラップなどの原料の高速分類が可能です。
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RT-110比抵抗測定器は、半導体ウェハーそのものの抵抗率と厚さの測定に適しています。ウェハーのハンドリングは手動で行い、測定は自動で開始されます。RT-110は4つの異なる抵抗率範囲で測定が可能です。導電型の判定も内蔵のPN判定器で行えます。
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RTシリーズは、全自動シート抵抗測定装置です。4探針プローブと非接触Eddyヘッドの搭載が可能です。
非接触シート抵抗測定装置（渦電流式/マイクロ波）
LEIシリーズ
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非接触移動度・シート抵抗特性評価システム LEI-2000M
LEI-2000Mは、化合物半導体デバイスの性能を左右する「移動度」「シート抵抗」「電荷キャリア密度」を、サンプルに傷をつけることなく完全な非接触・非破壊で精密に測定・評価できるシステムです。
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LEI-2000RSは、化合物やSi半導体の導電特性評価において25年以上の実績を誇るLehighton-LEIシリーズの最新モデルです。
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非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズは、2インチから最大 8インチまでのSi ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）、Epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗測定します。
拡がり抵抗測定装置
SRPシリーズ
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拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ測定装置です。SRP-170は、マニュアル測定タイプの装置です。
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拡がり抵抗測定装置SRPは、世界標準キャリア濃度分布・ﾌﾟﾛﾌｧｲﾙ測定装置です。SRP-2100は、自動測定タイプの装置です。
Si向けPN判定
PNシリーズ
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PN判定器 PN-100は、半導体材料を非接触/非破壊にてP/Nタイプ判定いたします。
膜厚・膜質ソリューション
分光エリプソメーター
SEシリーズ
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高精度・高速薄膜解析ソリューション 回転補償子型 分光エリプソメーター SE-1000
膜厚および光学定数（n, k）を非接触・非破壊で超高精度に測定。エリプソメーターのパイオニア「SOPRA社」の技術を受け継ぎ、高度な解析ソフトウェアと高速測定を両立した次世代エントリーモデル。
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SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
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SE-2000EPAは、研究開発用の光学式ポロシメーターです。分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。
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SE-2100は、ラボ用装置であるSE-2000に安全カバーと高スピードサンプルステージを加えた研究開発用の分光エリプソメーターです。
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μSE-2500は、300mmウェハ専用の全自動分光エリプソメーターです。パターン認識機能を有し、半導体製造プロセスで成膜管理にご使用いただいています。
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デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理検査にご使用いただいています。
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デュアルFOUPタイプの全自動分光エリプソメーターです。半導体製造プロセスで、成膜管理検査にご使用いただいています。
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inSE-1000は、in situでご使用頂ける分光エリプソメーターです。成膜装置などに組み込んでご使用いただけます。
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IRSEは、赤外領域に対応した分光エリプソメーターです。FTIRによりエピ膜厚測定や赤外領域での光学特性（屈折率、消衰係数）の測定が可能です。
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R2R SEは、ロールツーロール工程用の分光エリプソメーターです。単層膜から多層膜までの膜厚測定と光学特性（屈折率、消衰係数）の測定が可能です。
エピ膜厚FTIR
EIRシリーズ
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300mm最先端プロセス対応 高スループットFTIR計測システム EIR-3000
EIR-3000は、300mmウェーハをメインとする最先端の半導体製造ライン向けに設計された、シリーズ最高峰のフルオートマチックFTIR計測装置です。
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次世代パワー半導体対応 FTIR計測システム EIR-2201
EIR-2201は、マイケルソン干渉計をベースとした高性能なフーリエ変換赤外分光（FTIR）計測装置です。最新の「第2世代計測ヘッド」を搭載し、パワー半導体製造において不可欠なSiC（炭化ケイ素）やSi（シリコン）の特性評価を、非破壊かつ高精度に行います。
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高スループット・フルオートマチックFTIR計測システム EIR-2300
EIR-2300は、200mm（8インチ）までのウェーハに対応した、完全自動型のフーリエ変換赤外分光（FTIR）計測装置です。高度な自動搬送システム（EFEM）を標準搭載し、人為的ミスを排除した24時間稼働の量産ラインにおいて、最高クラスのパフォーマンスを発揮します。
膜厚測定FOUP
MFOUP
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M-FOUPは、FOUP内に計測機能を組み込んだ自立型薄膜測定装置であり、スタンドアロン型膜厚測定装置に対して高い生産性と柔軟性を提供します。
インライン・ラマン分光システム
Raman
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Raman-3000は、シリコン、SiGe、およびSOI基板のひずみ・応力・結晶品質をモニターするために設計された、高精度なインライン計測ソリューションです。
SiCトレンチ寸法測定
MBD
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SE+SR複合計測による高精度SiCトレンチ評価 MBD-2300
MBD-2300は、次世代パワー半導体として注目されるSi(シリコン)やSiC（炭化ケイ素）トレンチ形状および薄膜の特性評価に特化した、最新のインライン計測装置です 。
誘電体細孔率測定
PSシリーズ
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光学式ポロシメーターPSシリーズは、分光エリプソメトリーの原理を利用し、非接触、非破壊で薄膜の細孔率、細孔径分布を高速・高精度に測定します。
汚染・欠陥評価ソリューション
キャリアライフタイム測定装置
WTシリーズ
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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ライフタイム測定装置 WT-2000 (μPCDキャリアライフタイム）
WT-2000は、μ-PCD法による少数キャリアのライフタイム測定装置です。ウェハーの品質管理や研究開発用途にご使用頂けます。
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WT-2000 / 2Aは、キャリアライフタイム測定装置です。300mmウェハサイズまで測定可能です。
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WT-2000MCTは、キャリアのライフタイムの温度依存性を測定する装置です。
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シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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少数キャリアのライフタイム測定装置です。u-PCD法により非接触・非破壊でシリコン・ブロックやウェハーのライフタイム測定をし、マッピング表示が可能です。ライフタイム測定により、シリコンや化合物半導体の鉄濃度等の汚染や不純物の評価をして頂けます。
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μPCD キャリアライフタイム測定装置 WT-2000PVN
シリコン単結晶、多結晶、アモルファスなどのバルクの抵抗率を非接触で測定します。太陽電池の変換効率向上に貢献しています。
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WTシリーズは、全自動で少数キャリアのライフタイム測定を行う装置です。4～12インチまでのウェハーサイズに対応し、半導体製造プロセスでご使用頂けます。
インプラ・ドーズモニター
PMRシリーズ
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半導体イオン注入モニタリングの次世代ソリューション PMR-2200S / 3000S
非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。
転位欠陥可視化装置
En-Vision
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シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
非破壊式BMD検査装置
LSM
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LSM-3000：赤外レーザー光散乱法による最新の非破壊検査機
非接触・非破壊の光散乱法にてバルク微小欠陥（BMD）検出します。サンプルを劈開する必要がなく、ウェーハ全体を測定します。
LST
微細欠陥検査装置
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シリコンウェーハ内部の酸素析出物やバルク微小欠陥（BMD）を高精度に検出・評価する、Semilab社の最新光散乱トモグラフィー（LST）システムです 。
ストレス検査装置
PSIシリーズ
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300mmインライン量産対応 偏光赤外応力イメージング・自動検査システム PSI-3000
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥やストレスを非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥、スリップラインを高精度で検出します。
欠陥検査装置
PLBシリーズ
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PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
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PLBは、赤外線を使用し、シリコンブロックの内部異物(主にSiC, SiNなど)を検査する装置です。ワイヤーソー等でシリコンブロックをスライスする際に、事前に内部異物を検出し対応することによって、ワイヤーソーのダメージ、断線を抑えることが可能です。
原子間力顕微鏡
AFMシリーズ
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AFM-1000は、研究開発用途に最適な、設置面積の小さいコンパクトな卓上型原子間力顕微鏡（AFM）システムです。
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AFM-2000とAFM-2100は、手動ロードの手軽な原子間力顕微鏡（AFM）で、半導体ウェーハやデバイスのナノスケール表面評価に最適です。
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AFM-2200 / AFM-3000（自動搬送対応型AFM）
AFM-2200 / AFM-3000は、自動ロードポートを搭載した量産プロセス対応の自動化AFM。6〜12インチウェハーに対応し、欠陥レビュー・CMP制御・CD-AFMなど幅広い用途に活用できます。
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走査型プローブ顕微鏡（SPM/AFM）は、半導体や金属などの微小領域の表面形状や物理量を観察する顕微鏡です。原子間力顕微鏡AFMで、高精度に物質表面の画像が取得できます。SEMとAFMの組み合わせにより、更に高度な解析が可能になります。
化合物半導体ソリューション
欠陥検出
SPLシリーズ
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GaN・SiC化合物半導体向け次世代分光フォトルミネッセンス計測システム SPL-2200
分光フォトルミネッセンス、分光反射率、反り・歪み測定を1台に統合した、GaN・SiC等化合物半導体向けのインライン品質管理システムです。最大200mmウェーハに対応します。
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300mm量産対応・完全自動ルミネッセンス（SPL）計測システム SPL-3000
EFEMを標準搭載し、300mmウェーハの完全自動搬送・非破壊計測に対応した量産ライン向けフォトルミネッセンス計測システムです。SECS/GEM通信にも対応します。
化合物用PL測定
LumIRシリーズ
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化合物半導体向け赤外光ルミネッセンス走査型・非破壊欠陥検査システム LumIR-2300
赤外フォトルミネッセンスにより、InPやGaAsなど化合物半導体ウェーハの結晶欠陥を非接触・非破壊で高速検査するスキャン型検査システムです。欠陥の自動検出・分類にも対応します。
元素の定量分析
DLSシリーズ
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「DLS-83D」は、半導体や太陽電池（PV）材料に含まれる不純物や非可視欠陥、結晶汚染物質を検出し、その性質を同定するためのロックイン技術を用いた半導体の深い準位測定(深層レベル過渡分光)（DLTS）測定システムです。
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DLTS測定装置用のクライオスタットオプションです。
高抵抗・半絶縁材料向け測定器
COREMA
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化合物半導体ウェーハ対応 非接触抵抗率マッピングシステム COREMA-2000
非接触静電容量方式により、SiCやGaAsなど半絶縁性化合物半導体ウェーハの抵抗率をフルウェーハでマッピング測定する非破壊評価システムです。RF・パワー・オプトエレクトロニクス分野の品質管理に最適です。
ウェーハ形状測定装置
WGシリーズ
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300mmウェーハ・ソリ形状測定システム WG-2500（FOUP/FOSB対応・全自動仕様）
FOUP/FOSBに対応した300mmウェーハ向けの全自動ソリ形状測定システムです。非接触・非破壊の静電容量センサーで、量産ラインの高スループット計測を支援します。
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200mmウェーハの厚さ・TTV・反り（Bow/Warp）を非接触で高精度に測定するウェーハ形状測定システムです。静電容量方式センサーにより、ウェーハを傷つけずに評価できます。
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SMIFロードポートを標準搭載した200mmウェーハ向けのソリ形状測定システムです。非接触・非破壊の両面静電容量方式で、厚さ・TTV・Bow/Warpを高精度に測定します。
非接触自動エッジ形状測定装置
E-Shape
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次世代ウェーハ形状・エッジ形状全自動計測システム E-Shape-3000
300mm/200mmウェーハのエッジ・ノッチ形状を非接触・全自動で高精度計測するウェーハ形状測定システムです。SiCやGaN等の化合物半導体、サファイア等の透明体にも対応します。
SiC用・インプラ・ドーズモニター
PMR-C
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SiC・Siウェーハ向け光変調反射率式、イオン注入モニタリングシステム PMR-2200C
光変調反射率技術により、SiC・Siウェーハのイオン注入量やドーズ量を非破壊でモニタリングする装置です。アズインプラ段階での不良の早期検知など、パワーデバイス製造の歩留まり向上に貢献します。
R&Dソリューション
非接触シート抵抗 / 移動度測定装置
LEIシリーズ
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非接触移動度・シート抵抗特性評価システム LEI-2000M
LEI-2000Mは、化合物半導体デバイスの性能を左右する「移動度」「シート抵抗」「電荷キャリア密度」を、サンプルに傷をつけることなく完全な非接触・非破壊で精密に測定・評価できるシステムです。
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LEI-2000RSは、化合物やSi半導体の導電特性評価において25年以上の実績を誇るLehighton-LEIシリーズの最新モデルです。
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非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズ
非接触シート抵抗 Eddy current LEI-1510シリーズは、2インチから最大 8インチまでのSi ウェーハ、化合物半導体（GaAs、GaN、InP等）、Epi ウエハを非接触・破壊にてシート抵抗測定します。
ホール効果測定装置
PDLシリーズ
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ホール効果測定装置 PDLシステムは、ACモード・DCモードの両方のホール効果測定に対応しています。DCモードに比べて、ACフィールド測定では、キャリア移動度0.03 cm2/Vs以上の測定が可能です。 様々な材料の測定にも使用いただけます。
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高感度Parallel Dipole Lineホール効果測定システム PDL-1000
PDL-1000は、革新的なParallel Dipole Lineシステムを採用した次世代のホール効果測定装置です。
ナノインデンテーション測定
INDシリーズ
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ナノインデンターは、押し込み荷重と変位を測定し、薄膜、樹脂、金属などの様々な物質の 硬度や弾性率を測定します。AFMに搭載することで、圧痕を直接観察することも可能です。
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優れたアクティブ振動絶縁(除震)機能を一体化した基本フラグシップモデル。サブミクロンからナノスケール領域における材料の機械的特性を極限の安定性で評価可能です。
分光エリプソメーター
SEシリーズ
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高精度・高速薄膜解析ソリューション 回転補償子型 分光エリプソメーター SE-1000
膜厚および光学定数（n, k）を非接触・非破壊で超高精度に測定。エリプソメーターのパイオニア「SOPRA社」の技術を受け継ぎ、高度な解析ソフトウェアと高速測定を両立した次世代エントリーモデル。
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SE-2000は、研究開発用途の分光エリプソメーターです。深紫外から近赤外領域の波長範囲で、単層膜から多層膜までの膜厚測定、光学定数（屈折率、消衰係数）を精度良く測定します。
原子間力顕微鏡
AFMシリーズ
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AFM-1000は、研究開発用途に最適な、設置面積の小さいコンパクトな卓上型原子間力顕微鏡（AFM）システムです。
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AFM-2000とAFM-2100は、手動ロードの手軽な原子間力顕微鏡（AFM）で、半導体ウェーハやデバイスのナノスケール表面評価に最適です。
元素の定量分析
DLTSシリーズ
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「DLS-83D」は、半導体や太陽電池（PV）材料に含まれる不純物や非可視欠陥、結晶汚染物質を検出し、その性質を同定するためのロックイン技術を用いた半導体の深い準位測定(深層レベル過渡分光)（DLTS）測定システムです。
電気特性測定
CMS/CLS
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太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。渦電流法（Eddy Current）により、シリコン単結晶、多結晶のシート抵抗を非接触・非破壊でモニターします。
FPPシリーズ
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4探針シート抵抗測定装置です。太陽電池（単結晶、多結晶、アモルファス、有機）の研究開発でご使用頂いています。ITO膜などの透明導電膜のシート抵抗を高精度で測定可能です。
非接触式欠陥検査測定
PLIシリーズ
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フォトルミネッセンス PLI-101/A, PLI-103/A
太陽電池のインライン製造プロセス管理にご使用頂いています。フォトルミネッセンスによりシリコン単結晶、多結晶の結晶欠陥を非接触でモニターします。
