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MR(Photo Modulated Reflectivity Measurement)は、アニール前のイオン注入のドーズ量モニターを可能とする技術です。非接触・非破壊にてインプラ工程のインライン管理を可能とします。
非接触・非破壊にて様々なウェーハ（SiC, Si, 他）のエッジ形状等の高精度な測定が可能です。
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