トレンチ形状検査装置 IRシリーズ

トレンチ形状検査装置IRシリーズは、Si, SiCパワーデバイスのディープトレンチ構造・TSV形状・DRAMのキャパシタートレンチの深さとCD測定・リセス形状を非接触・非破壊で測定します。
独自技術MBIR（Model Based Infrared Reflectometry)によりハイアスペクト比のトレンチの検査・評価が可能です。
またエピ膜のドープ濃度の縦方向プロファイルの測定やアモルファス・カーボンの膜厚測定にも対応しています。赤外光を利用した非破壊・非接触によるトレンチ形状検査装置であり、集積回路の製造で使用される誘電層とエッチング構造の厚みと均一性を、【高スループット・低COO・非接触・非破壊】で測定可能です。
IR製品シリーズの独自の技術と分析機能により、主な層の測定に対し、システム校正の工数が少なくなり基板の差異による影響がなくなります。

測定可能な物理量：

• パワーデバイス（SiC, Si, GaN)のハイアスペクト・ディープトレンチ深さ測定
• カーボン膜厚測定
• DRAM キャパシタートレンチ深さ測定
• CD測定
• TSV形状測定
• リセス測定
• エピ膜のドープ濃度プロファイル測定
• エピ膜厚測定

特徴とシステム仕様：

• 製品シリーズとサンプルサイズ：
  • IR-2200：150/200mm、オープンカセットまたはSMIFロードポート×1
  • IR-2500：300mm、FOUPロードポート×1
  • IR-3200：200/300mm、オープンカセット、SMIF、またはFOUPロードポート×2
• 各製品には、次のMBIR光学系のいずれかを使用可能：
  • 大型スポット光学系（200×800µm）は主に、膜や、パターン付きウェハーのデバイス領域の測定に使用。
  • 小型スポット光学系（50µm）では、パターン付きウェハー上のスクライブラインテスト構造の測定が可能。
• CognexのPatmax©パターン認識
• カメラベースの自動フォーカス
• 堅牢なグローバー/ハロゲン光源
• 適合性：
  • EMC指令
  • 低電圧指令
  • SEMI規格準拠
• Windowsベースのソフトウェアにより、メニュー形式でレシピを選択/作成