全自動 水銀CV測定装置

CV測定装置水銀プローブMCVは、半導体シリコンウェハーや化合物半導体SiCの電気特性やMOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 一般的なCV測定装置では、ウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し，MOS構造・ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりましたが、MCVシリーズではこの電極形成の必要がなく容易に検査をして頂くことが可能です。

MCV自動マッピングシステムは、エピタキシャルシリコン製造や半導体のフロントエンド処理で使用されるパターンなしウェハーの水銀CV測定を行います。

MCV-2200とMCV-2500では、ウェハーはカセットまたは開かれたFOUPからマッピングステージへロボットによってローディングされます。テストウェハーは、電気特性評価試験が行われている間に、事前にプログラミングされたマップ上の指定の各位置に移動します。試験データは保存され、様々な形式で報告されます。

測定項目：

• 酸化膜中の電荷の評価 (VFB)
• 界面準位測定 (Dit)
• エピ層の抵抗率測定 (ρ)
• 低ドース イオン注入の部分的ドース量の評価 (PID)
• ライフタイム測定 (τg)
• 高／ 低 誘電材料の誘電率測定 (ε)
• 絶縁膜の信頼性試験 (TZDB, TDDB)

オプション機能：

• IDリーダー（前面または背面、SiCやGaNなどの透明サンプルの場合も同様）
• デソーバー
• ライトタワーオプション
• SECS/GEMホスト通信
• 300mm FOUP、200mm SMIF、またはOCを含めた構成が可能

ウェハーサイズ：

• 自動ウェハーハンドリング：
  • MCV-2200：100mm～200mm
  • MCV-2500：200mm～300mm
• 手動ウェハーハンドリング：
  • ウェハー全体：
    • MCV-2200：50mm～200mm
    • MCV-2500：50mm～300mm
  • クーポンサンプルまたはウェハーの一部：
    • 最小サンプルサイズは40mm×40mm