WT-2000MCT
狭帯域半導体の特性評価用の温度依存ライフタイム測定WT-2000MCTは、異なるサンプル温度でµ-PCDライフタイム測定を行うよう特別に設計されています。セミラボではシリコン用の他に、短波長励起レーザーを利用したワイドギャップ半導体（SiC,GaN）用のライフタイム測定装置も取り扱っています。
特徴とシステム仕様：
- サンプルサイズ：直径100mmまで
- 温度範囲：80K～325K
- 冷却時間：＜0.2K
動作モード：
- 事前に選択した安定温度でのフルウェハーマッピング
- 単一ポイントのライフタイムを温度の関数としてスキャン
アプリケーション：
- 温度の関数としての少数キャリア・ライフタイム
- 狭帯域半導体におけるライフタイムの測定に有効（狭帯域半導体では過剰キャリアが室温で熱的に励起される）
- 材料：HgCdTe、InSb、GaAsなど
