単波長エリプソメトリー

単波長エリプソメトリーの主なアプリケーションは、反射防止膜の特性評価です。

セミラボのレーザーエリプソメーターは、

HeNeレーザー（632.8nm）の波長で膜厚の測定・屈折率の特定を実行するのに適しています。

研磨済みまたはテクスチャが形成された単結晶・多結晶シリコン基板上に生成された反射防止膜も測定可能です。

テクスチャ化単結晶シリコンの表面形状

傾斜角54.7°のピラミッドが、

水酸化アルカリを用いたウェットエッチングによって結晶方位＜100＞のシリコンウェハー上で発生します。

ピラミッドの傾斜角は、結晶方位＜100＞と＜111＞の挟み角で決まります。

テクスチャ化単結晶シリコン表面の電子顕微鏡画像

生成された薄膜の特性を測定するために、光学式アームを54.7°傾ける必要があります。

この設定により、ピラミッドのファセットがエリプソメトリーの入射面に対して垂直になります。

基板表面が荒くても、レーザービームが集束されているため、優れた信号対ノイズ比を実現できます。

テクスチャ化多結晶シリコンの表面形状

多結晶シリコンウェハーには、様々な結晶方位のドメインが含まれているため、エッチングソリューションで等方性テクスチャを形成できます。

この結果、ランダムに分布した表面構造が成長し、この構造に特徴的な方位はありません。

これらのサンプルは、エリプソメトリーの入射面をウェハーに垂直にした設定で測定する必要があります。

基板表面が荒くても、レーザービームが集束されているため、優れた信号対ノイズ比を実現できます。

テクスチャ化多結晶シリコンの電子顕微鏡画像

特徴

・非常に正確な薄膜測定
・SiN_x・SiO_xN_y・SiO・a-Si・ポリSi向けアプリケーション

製品ラインナップ

LE

x-y-z電動ステージにより、厚さと屈折率のマッピングを実行でき、5インチと6インチの両方のウェハーの層パラメータの均一性が表示されます。
反射防止膜の厚さと屈折率の特性を評価できます。
オプションの入射角度範囲は、手動で5˚ずつ設定できます。
サンプル上の集束スポットサイズは1mm未満です。
マッピング結果から、厚さと屈折率の均一性を特定できます。
テクスチャ化単結晶サンプルの測定には、特別な光学式傾斜アームを使用できます。