En-Vision（転位欠陥可視化）
En-Vision（Enhanced Vision）では、転位欠陥、酸素析出物、積層欠陥などのウェハー内部の結晶欠陥を非接触・非破壊で測定できます。通常こうした欠陥は、光学的検査では可視化できません。En-Visionでは、ウェハー深さ方向の検出感度を大幅に向上させ、幅広い密度とアプリケーションをカバーすることで、表面近傍では確認ができない深さ方向の応力起因転位欠陥の検出感度を従来の手法（X-TEM/SECCOエッチング）よりも大幅に向上させています（100倍以上）。
EnVisionは、欠陥サイズ（15nm～サブミクロン）と密度（E6～E10/cm3）の両方でハイダイナミックレンジを提供します。
図2.測定理論
図3.バンド間PL画像
図4.反射画像
En-Visionは、ウェハー内部の結晶欠陥の放射放出（フォトルミネッセンス）を検出します。これにより、使用している光学装置の実際の光学的分解能よりはるかに小さい欠陥サイズの検出が可能になります。
特徴
- ・非破壊
- ・従来の検査装置では確認できないものを可視化
- ・対象領域：活性デバイス領域（表面近傍）
- ・nmスケールの埋め込み拡張欠陥の検出とモニタリングが可能
- ・生シリコンと活性デバイス深さでの検出
- ・専門知識は不要
製品ラインナップ
EnVision
EnVisionは、ウェハー内部にあるnmスケールの結晶欠陥の迅速な非破壊検出を目的として特別に開発された新世代の検査システムです。ウェハー内部にある結晶欠陥はシリコン表面下にあり、従来の検査装置（光学式/SEM）では確認ができず、活性領域で発生してしまうとデバイスの性能と歩留に影響を与えることになります。
転位欠陥可視化装置 EnVision
シリコン基板、化合物半導体、エピ膜の結晶欠陥を非接触・非破壊で高解像度でモニターする検査装置です。フォトルミネッセンスにより、ウェハーのBMD、転位欠陥、パーティクル、堆積物、積層欠陥を高精度で検出します。深さ方向の応力起因転位欠陥の検証に有効です。
