Photo-modulated Reflectivity Measurement（PMR）
Photo-modulated Reflectivity Measurement（PMR）は、イオン注入後、アニーリング前の製品用ウェハーのドーズ量をモニタリングできる優れた技術です。この測定プロセスでは、波長の異なる2つのレーザー光源（生成レーザーλ1、プローブレーザーλ2）によりウェハーを照射します。λ2は一定で、λ1は変調されます。ポンピングレーザーの光がサンプルから反射されます。反射率の変化は、変調の効果として観察できます。反射率変化はPMR信号そのものであり、イオン注入ダメージとキャリア濃度の両パラメーターにとても敏感です。
図2.測定理論
PMRの動作は、パターン認識システムと、生成・プローブレーザーに基づいています。ウェハーの位置と向きは、パターン認識によって正しく保たれます。生成レーザーが過剰キャリアを生成し、明らかなダメージが存在する位置を最適に加熱します。過剰キャリアと熱勾配が、屈折勾配率を形成します。プローブレーザーでは屈折勾配率または表面の熱を利用してドーズレベルまたはジャンクション深さを判定し、生成レーザーは2kHzで変調され（準定常プロセス）、この結果、S/N比が向上します。新しいビームサンプラーと適切な制御ループを使うことで、レーザー光強度の安定性が向上します。
図3.測定結果
PMR信号とドーズ量（1/cm2）のフィット関数により、ほとんどの場合、ドーズ量とPMR信号（サンプルが提供）との間には単調な（よって可逆的な）関数関係が存在することが明らかに示されます。製品サンプルのドーズ量は、測定したPMR信号に基づいて判定できます。
PMR装置の性能は、ドーズ量の検出感度で判断されます。ドーズ量の検出感度の値は、使用された注入イオンによって異なります。同じ原理を用いて、PMR測定のドーズ量以外の注入パラメータ（注入エネルギー、注入温度）の感度も計算できます。
特徴
- ・非接触、非破壊、全自動の光学法で製品ウェハーを直接測定
- ・注入制御測定を行い、注入モジュールの問題源を速やかに特定
- ・注入後、アニーリング前の製品用ウェハーのドーズ量を3µmの測定スポットサイズでモニタリング
- ・低コストとサイクルタイム短縮により、製品の真の結果を提示
PMR
優れた安定性、MTBF、MTTRを実現する新型光学系
広範囲のドーズ量に対して優れた感度を発揮（通常5×1010～5×1016 1/cm2、ただし、より高いドーズ量にも対応）。
能動的なレーザー光強度安定化システムによって信号の再現性が向上し、安定性の値が酸化シリコン製のPMR基準サンプルに有効。
パターン認識により、適切な測定部位でパターン付きサンプルを測定可能。
非破壊インプラ ダメージモニター PMR-3000
非接触・非破壊インプラモニターPMR-3000はインプラ後のドーズ量モニタリング、加えてアニール処理前後のジャンクション深さを非接触・非破壊で測定する装置です。
