日本セミラボ テクニカルセミナー
当セミナーの募集は終了いたしました。
定員を超えるお申し込みをいただき、誠にありがとうございました。
今後もセミナー開催を検討しておりますので、どうぞご期待ください。
概要
| 日程 |
2023年10月17日（火） 13:00～16:30（受付 12:30～ ＊17:00 頃～ 懇親会 3階 アリアンナ （セミナー会場の隣の部屋） |
|---|---|
| 場所 | 新横浜グレイスホテル （公式サイト：https://gracehotel.jp/access/ ） 〒222-0033 神奈川県横浜市港北区新横浜3-6-15 |
| 参加費用 | 無料 |
| 定員 | 100名（定員に達した時点で、受付を終了させて頂きます。） |
| 申込方法 | 下記のボタンをクリックし、専用フォームよりお申し込みください。 |
| 連絡先 | 下記E-mail または各担当営業でもお申し込みの受付をさせて頂いております。 E-mail 宛先： 連絡先：045-620-7960 |
日本セミラボ テクニカルセミナー 講演内容
| 技術講演 1 |
『Siパワーデバイスにおけるライフタイム』 代表的なSiパワーデバイスの一つであり、近年の注目が大きいIGBTでは、従来のライフタイムキラーに代わってスイッチング特性を改善する構造が実現し、むしろON抵抗低減のために高いライフタイムが求めれる。 一方、コスト低減の要求から従来のFZに代わって直径300mmのCz基板の利用が増え、製造プロセス時の軽元素の挙動と、そのライフタイムに与える影響を精査し、制御する必要性が高まっている。 明治大学 理工学部電気電子生命学科 再生可能エネルギー研究インスティテュート 所長 小椋 厚志 氏 |
|---|---|
| 技術講演 2 |
『カーボンニュートラル社会実現に向けた東芝のSiC半導体の取組み』 パワエレ機器の小型化、高効率化などに対し、飛躍的改善が見込めるSiCは実用化が急速に進んでおり、当社においても各種電源、電鉄、電気自動車、送配電等の幅広い耐圧系に向けて開発を進めている。 SiCのさらなる適用拡大に向けては信頼性の向上が課題の一つとされており、例えばMOSFETのバイポーラー通電劣化の問題が知られている。本講演では、このバイポーラー通電劣化を始めとする信頼性課題に対する当社の取組みを紹介する。 東芝デバイス＆ストレージ株式会社 半導体事業部 フェロー 佐野 賢也 氏 |
| 技術講演 3 |
『SiCバルク単結晶およびエピ成長技術について』 カーボンニュートラル社会は，電力化，電化が普及した社会であり，その根底を支える電力エネルギーをつかさどるパワー半導体は，その重要性が増している。特に自動車応用を中心に大きな期待を集めているSiCは、ウェハに大きな課題があるといわれている。ここでは、バルク単結晶およびエピ成長技術について製造技術の視点で、評価技術およびデバイス技術との関係に触れながら紹介する。 九州大学 応用力学研究所 自然エネルギー総合利用センター 教授 博士(工学) 西澤 伸一 氏 |
| 技術講演 4 |
『Semilab solutions for SiC and Si IGBT industry』 We introduce wider optical and electrical portfolio for SiC power device and Si IGBT, and epi thickness using FTIR technology. Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co.Ltd. Ellipsometry Department Applications Scientist Eszter Éva Najbauer |
注）都合により内容の変更がある場合がございます。
